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VOLLANZEIGE #983
Wild, Stefan: Vertikale FETs mit Si-Nanodrähten als Basismaterial. Bakkalaureatsarbeit, 2007. * *http://textfeld.ac.at/text/983/

Technische Universität Wien | Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik | Institut für Festkörperelektronik
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ABSTRACT
In der Halbleitertechnik wird ständig versucht die Transistordichte eines Chips zu erhöhen. Dabei ist es wichtig die einzelnen Transistoren so klein wie möglich zu machen, um einen niedrigen Leistungsverbrauch zu erzielen. Einen neuen Typ höchst miniaturisierter logischer Bauelemente stellt ein vertikaler Feldeffekttransistor mit Silizium-Nanodraht als Basis dar. Diese Arbeit stellt den aktuellen Stand der Technik auf dem Gebiet dieser Bauelemente dar. Es werden die verschiedenen Herstellungsverfahren besprochen sowie die Leistungsmerkmale diskutiert. Um diese vertikalen Feldeffekttransistoren zu fertigen, werden auf einem Silizium-Substrat Nanodrähte aufgewachsen und entsprechend den Feldeffekttransistoren die Anschlüsse Drain, Gate und Source erstellt. Die damit entstehenden Bauelemente weisen Leistungsmerkmale auf, welche allesamt mit High-Performance-Feldeffektransistoren zu vergleichen sind. Besonders bei dem Inverse Subthreshold Slope ergeben sich Spitzenwerte, welche um mindestens eine Größenordnung besser sind als bei herkömmlichen Bauelementen. Gerade durch diese Ursache werden die vertikalen Feldeffekttransistoren mit Silizium-Nanodrähten zu Low Power Devices und erlauben dadurch wiederum eine Erhöhung der Packungsdichte. Da bereits durch den vertikalen Aufbau eine enorme Platzersparnis entsteht, zählen diese Bauelemente zu den zukünftig relevanten Bauelementen.
FACHBEREICH[E]
Elektronik | Elektrotechnik
BEGUTACHTERIN
Ass.Prof. Dipl.-Ing. Dr.techn. Alois Lugstein

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